造成内蒙碳化硅碳元素过量的原因

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    在冶炼内蒙碳化硅时，也会由于各种因素，生产出品质不合格的碳化硅。而碳元素过量是碳化硅较常见的问题之一。结晶筒内有游离炭粒，是碳过量严重时的明显特征，容易出现炭粒的部位是结晶倚的下部和外侧，因为根据气体流动的方向，这些地方硅化剂蒸气的浓度较低。那么，造成碳化硅碳元素过量的原因有哪些呢。

    1、混料不均可产生局部碳过量。

    2、炉料配比碳过量。与炉料硅过量一样，主要原因有，原材料取样、化验、算料、配料有误，配方设计不合理。

    3、碳质原料粒度过粗，反应不完全。

    4、送电时间短或冶炼功率低，炉心过大等造成sic结晶分解层较薄，补充的硅化剂蒸气来源比正常少。

    其实，在冶炼碳化硅时，如果出现碳过量的问题，可适当增加冶炼功率或延长冶炼时间以增加sic的分解。我公司从事碳化硅生产及销售工作多年，在碳化硅生产方面有着成熟的技术，丰富的经验，可以根据用户的需求，推荐及提供，经济实用的碳化硅。

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